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时间:2025-05-28
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赛华检测致力于提供精准的材料制样与深入的材料表征服务。下面将详细对比各种材料制样技术和材料表征方法的特点,以便您更好地了解并选择适合自身需求的解决方案:
材料制样手段对比
项目 | 设备型号 | 离子源 | 分析精度 |
传统切片 | 研磨机 Alpha-202 | / | 10μm以上 |
低温超薄切片 | RMC PT XL | / | 5nm-10μm |
CP | 日立 IM4000 | 氩离子 | 100-500nm |
冷冻CP | Leica EM TIC 3X | 氩离子 | 50-100nm |
FIB | 聚焦离子束 Seiko 3050MS | 镓离子 | 1-10nm |
Plasma-FIB | Thermo Scientific Arctis Cryo-Plasma-FIB | 氙离子 | 1-10nm |
项目 | 图片说明 | 典型图片 |
传统切片 | 普通切片:PCB电镀铜板腐蚀后SEM图片 | |
低温超薄切片 | 聚苯橡胶 制备:-85℃,超薄切片TEM:120KV | |
CP | PCB焊盘CP处理后SEM镍腐蚀图片 | |
冷冻CP | 电池正极粉末冷冻CP处理后截面图片 | |
FIB | PCB孔铜FIB处理后铜晶格图片 | |
Plasma-FIB | 样品Plasma-FIB处理后SEM图片 |
材料表征手段对比
检测 设备 | 检测 信号 | 信号采集 深度 | 含量测试 极限 | 分析 范围 |
SEM&EDS | 电子束 | 1-3μm | 0.1%wt | 元素(Li-U)元素面分布 |
AES | 俄歇电子 | 0.5-3nm | 0.1%at | 元素(Li-U)元素分布 |
XPS | 光电子 | 5-10nm | 0.1%at | 元素(Li-U)化学态+分布 |
TOF-SIMS | 二次离子 | 0.1-1nm | 10-6 (ppm级) | 全元素及同位素 分子态 |
D-SIMS | 二次离子 | 0.1-1nm | 10-9~1% (ppb级) | 全元素及同位素 |
FTIR | 红外辐射 | 1-5μm | / | / |
EBSD | 电子背散射衍射信号 | 100-500nm | / | / |
TEM | 电子束 | 几nm | / | / |
检测设备 | 特点 | 典型图片 |
SEM&EDS | 元素分析,定性半定量 | |
AES | 表面元素定性、定量分析 | |
XPS | 表面元素分析和元素价态测定 | |
TOF-SIMS | 高灵敏度,可进行深度剖析和表面成像 | |
D-SIMS | 深度剖析和微区分析 | |
FTIR | 分子结构和官能团分析 | |
EBSD | 晶体学分析和取向测定 | |
TEM | 高分辨率,可观察微观结构 |
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